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氘束轰击石墨化学腐蚀的实验研究 被引量:3

CHEMICAL SPUTTERING OF GRAPHITE BOMBARDED WITH A DEUTERIUM ION BEAM
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摘要 石墨的化学腐蚀实验是在LAS-2000二次离子质谱仪的分析室中进行的,用高能氘离子束或与电子束联合辐照石墨,石墨温度从300—1000K可调。辐照下释放的产物用四极质谱探头进行了质谱分析,得到了1.3μA、3keV氘束轰击下SMF-800石墨释放氘甲烷(CD4)的温度特性,在780K处有一个释放高峰。通过分析指出,氘甲烷产额γ除与居留在石墨表面层的氘原子密度nD有关外,还应和氘甲基(CD3)的表面层密度nCD3相关,即γ=AnDnCD3exp(-ER/RT)。实验拟合出石墨表面层中氘甲烷的化学合成激活能ER=7.8kcalmol-1,CD3和D的综合脱附激活能E1=35.8kcal·mol-1。从而进一步阐明:在温度高于800K后。 The chemical sputtering of graphite was carried out in an ultrahigh vacuum chamber of secondary ion mass spectrometer. An incident energetic deuterium ion beam was used singly or in combination with an electron beam, to simulate plasma irradiation. The temperature of the graphite sample was regulated from room temperature to 1000K. The sputtering products with m/e from 2 to 44 as a released molecule beam from the irradiated graphite sample have been analysed in situ with a quadruple mass spectrometer SQ156. The temperature characteristic of releasing the deutero methane CD 4 from graphite SMF 800 sample bombarded with a deuterium ion beam of 1.3μA/3keV has been obtained. The releasing peak of CD 4 due to enhanced chemical sputtering is at about 780K. A formula for the CD 4 releasing rate is proposed as γ=An D n CD 3 exp ( E R /RT) . The activation energies E R  of 5.2 kcal/mol for CD 4 formation and E 1 of 35.8 kcal/mol for the synthetic thermal desorption of deuterium atom D and deutero methyle CD 3 from the surface region of the graphite were fitted out experimentally.
出处 《核聚变与等离子体物理》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期43-49,共7页 Nuclear Fusion and Plasma Physics
基金 核工业科学基金 Y932301支持项目
关键词 氘束 石墨 化学腐蚀 度特性 反应堆材料 Deuterium beam Graphite Chemical sputtering Temperature characteristic
  • 相关文献

参考文献5

  • 1朱毓坤,王明旭,孙守祁,肖正贵,李国栋,张年满,严东海.HL-1真空室的运行状态分析[J].核聚变与等离子体物理,1995,15(3):30-36. 被引量:2
  • 2朱毓坤,真空科学与技术,1992年,12卷,4期,322页
  • 3朱毓坤,J Nucl Mater,1988年,162/164期,448页
  • 4朱毓坤,J Nucl Mater,1984年,128/129期,784页
  • 5朱毓坤,核聚变与等离子体物理,1983年,3卷,4期,208页

二级参考文献8

  • 1朱毓坤,王明旭,张年满,严东海,洪文玉.二次离子质谱在HL-1托卡马克研究中的应用[J].核聚变与等离子体物理,1994,14(4):47-54. 被引量:2
  • 2李国栋,1993年
  • 3朱毓坤,真空科学与技术,1992年,12卷,4期,322页
  • 4李国栋,Fusion Engineering Design,1991年,18卷,105页
  • 5Qian S L,J Nucl Mater,1990年,176/177卷,968页
  • 6朱毓坤,J Nucl Mater,1989年,162/164卷,448页
  • 7朱毓坤,真空与低温,1987年,2期,7页
  • 8朱毓坤,核聚变与等离子体物理,1986年,6卷,3期,182页

共引文献1

同被引文献6

引证文献3

二级引证文献6

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