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薄膜MIC中阻容元件阳极氧化工艺技术 被引量:1

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作者 姚国荣 葛玲
出处 《电子元件》 1989年第1期47-49,57,共4页 Electronic Component Special Monthly
  • 相关文献

同被引文献5

  • 1陈国光,电解电容器,1993年
  • 2王训国,电子元件,1990年,3期,20页
  • 3梁梦娥(译),钽铌工业进展,1990年,3期,9页
  • 4曲喜新,电子元件与材料,1986年,5卷,2期,23页
  • 5王训国.高比容钽粉的赋能工艺研究[J].稀有金属,1991,15(6):410-415. 被引量:4

引证文献1

二级引证文献3

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