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采用PMMA LB膜作为电子束抗蚀层进行100mm高分辨率铬掩模版的制作研究

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摘要在发展流动亚相法制备高粘度聚合物分子单层膜装置的基础上，研究制备大面积、高质量的PMMALB膜抗蚀层，并用于100mmCr掩模版的电子束光刻制造技术中，采用现行标准的湿法工艺获得了分辨率为0．5μm，特征线宽为0．3μm的高分辨率100mm铬掩模版。为深亚微米掩模版制造的研究探索了一条新路。

作者于向东彭力张仲毅赵丽新张海平刘永宽顾宁钱峰陆祖宏韦钰

机构地区中国华晶电子集团公司掩膜制造中心东南大学分子与生物分子电子学国家教委开放实验室

出处《微电子技术》 1996年第3期49-52,共4页 Microelectronic Technology

关键词铬掩模版制造光刻电子束 PMMALB膜 IC

分类号 TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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微电子技术

1996年第3期

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