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3μmSi栅CMOS产品PCM测试方法分析及测试程序开发

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摘要本文介绍了一种分布在划片槽内的PCM结构的测试方法。使用美国Keithley公司的S425参数测试系统，以3μmSi栅CMOS产品为研究对象，建立了一套全新的PCM测试方法并开发成功了完整的测试程序。阐述了在半导体MOS生产线监控中的应用前景及由此带来的经济效益。

作者桑莉莎雷淼

机构地区中国华晶电子集团公司MOS一厂PCM组

出处《微电子技术》 1996年第1期57-70,共14页 Microelectronic Technology

关键词 CMOS PCM 测试硅栅器件

分类号 TN386.407 [电子电信—物理电子学]

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微电子技术

1996年第1期

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