In GaAs/GaAS应变层中应力的CBED的研究

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摘要本文我们利用CBED,研究了,InGaAs/GaAs超晶格样品高阶劳厄反射中的卫星线分布情况。InGaAs/GaAs超晶格是用金属有机化学汽相沉积的方法生长在GaAs[001]衬底上,InGaAs及GaAs层的厚度分别为100A和200A,x光双晶衍射定出其中合金属中In的含量为6％。会聚束电子衍射在EM-420上进行的。我们发现平面样品中有两种区域,1)衬底与超晶格的界面存在,可以观察在相互垂直的两[110]方向有失配位错。2)GaAs衬底与超晶格界面被Ar^+减薄掉。

作者谢强华冯国光

机构地区中国科学院物理所中国科学院北京电镜实验室

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期196-196,共1页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关键词 INGAAS/GAAS 应变层应力 CBED

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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