摘要
聚酞菁硅氧烷是一种新型的低维度电子导电聚合物。它由酞菁硅二醇脱水缩聚而成。聚合物的分子链轴-Si-O-Si-与酞菁环平面垂直。把酞菁硅二醇升华到NaCl单晶体的新解理面上进行聚合和外延生长可制得薄膜状晶体。在这种晶体中分子链垂直于薄膜平面。其红外光谱图的720cm^(-1)处有一强峰,950-1000cm^(-1)处有一宽峰,证明确为聚酞青硅氧烷。而且在780cm^(-1)和830cm^(-1)处没有峰,说明不存在酞菁硅二醇。将所得的薄膜晶体用JEOL-200CX型高分辨电子显微镜进行观察,所用加速电压为200KV。得到的分子像如图1所示。每个黑点是沿聚合物链轴方向酞菁环电荷密度的投影。
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1990年第3期224-224,共1页
Journal of Chinese Electron Microscopy Society
