高压P^+nn^+器件表面电场的二维数值分析
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1990年第4期35-39,共5页
Power Electronics
-
1陈文彪,夏德媛,沈稼丰,盛曼.开关磁阻电动机的设计及数值分析[J].防爆电机,2009,44(2):1-4. 被引量:1
-
2曲德宇,刘文里,韩波.干式变压器绕组温度场的二维数值分析[J].变压器,2011,48(12):21-25. 被引量:8
-
3钟燕,刘文里,白永刚,马健.自耦变压器绕组漏磁场及涡流损耗的二维数值分析[J].黑龙江电力,2013,35(6):518-522. 被引量:2
-
4赵玉文,李仲明,莫春东,吕昆,李志明,于中尧,于元,陈志云,何少琪.高效单晶硅太阳电池的研制[J].太阳能学报,1996,17(2):123-126. 被引量:12
-
5王雅新.尖晶石型LiMn_2O_4的磁性研究[J].吉林师范大学学报(自然科学版),2008,29(3):78-80.
-
6黄钟英,洪火国,陈朝.InPN+/P太阳电池光谱响应的数值模拟和分析[J].厦门大学学报(自然科学版),1998,37(5):696-691.
-
7董克用,袁修干.相变材料容器的瞬态热分析[J].北京航空航天大学学报,1997,23(5):647-651. 被引量:2
-
8张妹玉,陈朝.Si N^+/P/P^+太阳电池的数值模拟与分析[J].太阳能学报,2008,29(10):1267-1273. 被引量:8
-
9王耀泉.硅N^+PP^+太阳电池工艺[J].太阳能,1989(2):17-19.
-
10刘翔,陈庭金,等.P^+—AlxGa1—xAs/p—n—n^+—GaAs型太阳能电池的两步液相外延生长[J].新能源,2000,22(12):32-34.
;