美国微波砷化镓器件现状和应用
-
1春晓.无线通信与半导体技术[J].电子产品世界,1999,6(3):60-61.
-
2林金庭.GaAs器件商业应用前景广阔[J].电子材料（机电部）,1993(9):21-23.
-
3吴海东,庄志强,莫郁薇,张增照,聂国健.GaAs MMIC可靠性研究与进展[J].电子产品可靠性与环境试验,2001,19(1):29-33. 被引量：1
-
4王欢.射频集成电路半导体器件技术与CAD[J].电子与电脑,2006,6(7):121-123.
-
5是兆雄.采用砷化镓器件改善电子战性能[J].自动化博览,1996(2):16-17.
-
6巴迪,李英.用准光腔谐振器稳频的W波段二次谐波GaAs耿氏振荡器[J].上海科技大学学报,1992,15(3):34-44.
-
7余勉之.砷化镓器件及其有关材料西文文献数据库的建设[J].科技通讯（上海）,1994,8(4):52-57.
-
8韩卫,罗晏,朱红清,司丽荣,李国辉.氢氧注入在GaAs器件中的应用[J].北京师范大学学报（自然科学版）,1995,31(4):456-460. 被引量：1
-
9郑畅.Strategy Analytics:砷化镓器件市场收益规模继续增长[J].半导体信息,2013(6):36-36.
-
10A.林德曼,P.弗利德里奇,R.卢普.大功率砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)器件在电源中的应用[J].电力电子,2003(Z1):50-54.
;
