期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

微波功率SiGe HBT研究进展

Progress in Microwave Power SiGe HBT's
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe HBT本身具有热-电耦合自调能力,所加镇流电阻可以较小,所有这些使SiGe HBT比GaAs HBT和SiBJT在功率处理能力上占一定优势。文章对微波功率SiGe HBT一些重要方面的国内外研究进展进行评述,希望对从事微波功率SiGe HBT的研究者有所帮助。 The thermal conductivity of Si is larger than that of most III-V compound semiconductors. SiGe HBTs are stable within a wide temperature range. The temperature coefficient of emitter junction voltage dVBE/dT in SiGe HBTs is smaller than that in Si. Double heterojunction SiGe HBTs have self-adjustability of electrothermal coupling, and the ballast resistance added in SiGe HBTs can be smaller than that in Si BJTs and GaAs HBTs. All these features make SiGe HBTs superior over GaAs HBTs and Si BJTs in power handling capability. Progresses in the research of some important aspects of microwave power SiGe HBTs are reviewed, which may serve as a reference for researchers in this field.
作者 张万荣 张蔚 金冬月 谢红云 肖盈 王扬 李佳 沈佩
机构地区 北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期548-551,共4页 Microelectronics
基金 国家自然科学基金资助项目(60376033) 北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301) 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101) 北京市教委项目 北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目
关键词 SIGE/SI 异质结晶体管 微波功率器件 Si/SiGe Heterojunction transistor Microwave power device
分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献18

  • 1Iyer S S, Patton G L, Delage S L. Silicon-germanium HBTs by MBE [A]. Int Elec Dev Meet [C]. Washington D C. USA, 1987. 847-846.
  • 2Rieh J-S, Greenberg D, Stricker A, et al. Scaling of SiGe heterojunction bipolar transistors [J]. Proc the IEEE, 2005, 93(9): 1522-1538.
  • 3Rieh J-S, Jagannathan B, Chen H, et al. Performance and design considerations for high speed SiGe HBTs of fr/fmax=375 GHz/210 GHz [A]. Proc Int Conf Indium Phosphide and Related Materials [C]. Piscataway, NJ, USA. 2003. 374-377.
  • 4Jiang N, Ma Z, Wang G, et al. 3-W SiGe power HBTs for wireless applications [J]. Materials Science in Semiconductor Processing, 2005,8(2):323-326.
  • 5徐剑芳,李成,赖虹凯.微波大功率SiGe HBT的研究进展及其应用[J].微电子学,2005,35(5):521-526. 被引量：5
  • 6薛春来,成步文,姚飞,王启明.高频大功率Si_(1-x)Ge_x/Si HBT研究进展[J].微纳电子技术,2004,41(9):14-21. 被引量：3
  • 7王哲,亢宝位,肖波,吴郁,程序.SiGe异质结微波功率晶体管[J].微波学报,2002,18(4):84-89. 被引量：2
  • 8Zhang W-R, Yang J-W, Liu L-M. The temperature dependence of dc characteristics and its implication in microwave power Si/SiGe/Si HBT's [A]. 4^th Int Conf Microwave and Millimeter Wave Technol. Proc [C].Beijing, China. 2004.594-597.
  • 9McAlister S P, Kovacic S, Renaud A, Zhou Z F. The temperature dependence of the dc characteristics of silicon germanium bipolar transistors [J]. J Vac Sci Technol A, 2000, 18(2): 770-774.
  • 10Nenadovic N, Mijalkovic S, Nanver L K. Extraction and modeling of self-heating and mutual thermal coupling impedance of bipolar transistors [J]. IEEE J Sol Sta Circ, 2004, 39(10): 1764-1772.

二级参考文献96

  • 1王哲,亢宝位,肖波,吴郁,程序.SiGe异质结微波功率晶体管[J].微波学报,2002,18(4):84-89. 被引量：2
  • 2薛春来,成步文,姚飞,王启明.高频大功率Si_(1-x)Ge_x/Si HBT研究进展[J].微纳电子技术,2004,41(9):14-21. 被引量：3
  • 3[1]KROEMER H. Theory of a wide-gap emitter for transistors[J] . Proc IRE, 1957, 45: 1535-1537.
  • 4[2]KASPER E, HERZOG H J, KIBBEL H. A one-dimensional SiGe superlattice grown by UHV epitaxy [J] . J Appl Phys,1975, 8: 1541-1548.
  • 5[3]PEOPLE R. Indirect bandgap of coherently strained Si1-xGex bulk alloys on 《001》 silicon substrates [J] . Physical Review B, 1985, 32: 1405-1408.
  • 6[4]MEYERSON B S. Low-temperature silicon epitaxy by UHV/CVD [J] . Appl Phys Lett, 1986, 148: 797-799.
  • 7[5]IYER S S, PATFERN G L, DELAGE S L, et al. Silicon-germanium base heterojunction bipolar transistors by MBE [A] .Tech Dig [C] . IEEE IEDM, 1987. 874-876.
  • 8[6]KING C A, HOYT J L, GRONET C M, et al. Si/Si1-xGex/SiHBT produced by limited reaction processing [J] . IEEE Elect Dev Lett, 1989, 10: 52-54.
  • 9[7]PATTON G L, COMFORT J H, MEYERSON B S, et al.75 GHz fT SiGe base HBT [J] . IEEE Elect Dev Lett, 1990,11: 171-173.
  • 10[8]COMFORT J H, PATTON G L, CRESSLER J D, et al. Profile leverage in a self-aligned epitaxial Si or SiGe-base bipolar technology [A] . IEDM [C] . 1990. 21-24.

共引文献6

微电子学
2006年 第5期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部