气压法烧结氮化硅陶瓷的研究被引量：1

The Research of Gas-Pressure Sintering for Si_3N_4

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摘要介绍了气压法烧结氯化硅陶瓷的工艺，并对所得陶瓷的常规性能作了评价。

作者熊向东李熙章

机构地区华中理工大学材料系

出处《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期35-37,共3页 Aerospace Materials & Technology

关键词氮化硅气压烧结法陶瓷工艺

参考文献1

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宇航材料工艺

1996年第5期

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