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薄氧化膜特性研究

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摘要本文从氧化膜中电流输运机理出发,结合实验,讨论了影响氧化膜击穿特性的因素;介绍了能使薄膜击穿特性得到明显改善的合理的清洗方法和等温两步氧化新工艺;同时介绍了薄膜组份的俄歇能谱分析以及界面态密度的DLTS法测量等。

作者张佐兰冯耀兰刘荣章陈剑云

机构地区东南大学常州半导体厂

出处《电子工艺技术》 1989年第3期8-12,共5页 Electronics Process Technology

关键词氧化膜击穿特性薄膜半导体

分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]

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电子工艺技术

1989年第3期

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