期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

热壁低压化学汽相淀积的安全性探讨

下载PDF

导出

摘要对于热壁低压化学汽相淀积(LPCVD)技术,安全性是不可缺少的一个重要方面。本文就热壁LPCVD技术中常用气体的化学性质和物理方法进行说明。只要操作人员充分理解其气体在使用过程中的危险性,并采取适当措施,LPCVD技术才是安全的。

作者程开富

机构地区机电部第四十四研究所

出处《电子工业专用设备》 1989年第4期51-54,共4页 Equipment for Electronic Products Manufacturing

关键词化学气相淀积低压热壁安全性

分类号 TN405.986 [电子电信—微电子学与固体电子学]

引文网络
相关文献

1程开富.热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的质量分析[J].上海半导体,1993(1):43-48.
2程开富.热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的氧沾污分析[J].半导体技术,1995,11(3):38-40. 被引量：6
3程开富.热壁低压化学汽相淀积设备的使用与维修[J].电子工业专用设备,1998,27(1):34-39.
4贾惠蓉,张爱卿.采用不同低压化学汽相淀积压力生长的多晶硅薄膜晶体管特性[J].山东半导体技术,1994(3):42-51.
5宋娜娜,何方白.无线局域网的安全性探讨[J].信息安全与通信保密,2005,27(11):72-73.
6牛玉冰.4G网络技术的安全性探讨[J].网络安全技术与应用,2017(2):86-87. 被引量：1
7李伟.4G网络的特性和安全性探讨[J].中国科技博览,2013(30):114-114.
8林宗术.无线局域网安全性探讨[J].民营科技,2011(9):49-49.
9胡伏湘.电子商务的安全性探讨[J].计算机与网络,2004,30(17):51-53.
10义仡.ZnS／GaAs（100）的热壁外延生长[J].电子材料快报,1999(5):6-6.

电子工业专用设备

1989年第4期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部