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出处
《电子设计应用》
2006年第9期139-140,共2页
Electronic Design & Application World
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1章从福.富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料[J].半导体信息,2007,0(1):35-35.
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2姚远.闪存接班人的竞争 NVRAM,谁是新一代霸主?[J].新电脑,2007,31(8):88-93.
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3向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料[J].现代材料动态,2008(6):28-28.
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4富士通面向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料[J].家电科技,2008(13):51-51.
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5蓄电量提升5倍的下一代半导体内存—FeRAM[J].现代材料动态,2006(8):22-23.
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6富士通和东京工业大学开发256Mbit FeRAM新材料[J].中国集成电路,2006,15(9):4-4.
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7富士通联合开发出FeRAM新材料[J].世界电子元器件,2006(9):14-14.
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8梁静.BYOD自带设备解决方案[J].电子技术与软件工程,2016(20):30-30.
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9计算机及外设[J].今日电子,2007(7):125-126.
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10富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料[J].电子与电脑,2006(9):131-131.
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