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可高用的4Mb MRAM存储器

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摘要 具有高耐用性,读写周期为35ns 磁阻随机存取存储器(MRAM)MR2A16A的容量为4Mb,在断电后不会丢失数据,采用跳变位写入模式,是替代用电池做后备电源的SRAM单元的理想产品。MR2A16A还可用于高速缓存、配置存储器以及其他需要MRAM的速度、灵活性和稳定性的应用。
出处 《今日电子》 2006年第8期93-93,共1页 Electronic Products
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