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可高用的4Mb MRAM存储器
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摘要
具有高耐用性,读写周期为35ns 磁阻随机存取存储器(MRAM)MR2A16A的容量为4Mb,在断电后不会丢失数据,采用跳变位写入模式,是替代用电池做后备电源的SRAM单元的理想产品。MR2A16A还可用于高速缓存、配置存储器以及其他需要MRAM的速度、灵活性和稳定性的应用。
出处
《今日电子》
2006年第8期93-93,共1页
Electronic Products
关键词
随机存取存储器
MRAM
SRAM单元
丢失数据
后备电源
高速缓存
耐用性
稳定性
读写
分类号
TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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