MOS／双极复合晶体管中自锁效应温度特性的研究
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1989年第5期14-18,共5页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
-
1Armijo,C,阎淑萍.一种新型宽频带复合晶体管放大器[J].数理译丛,1990(1):42-48.
-
2冯耀兰,郑茳.MOS／双极复合晶体管温度特性的研究[J].电力电子技术,1989(2):56-61.
-
3程华,严唯敏,滑育楠,胡善文,高怀.5～12GHz新型复合管宽带功率放大器设计[J].电子科技,2010,23(10):18-21. 被引量：2
-
4朱先宇,柯导明,等.CMOS集成电路自锁效应的分析[J].电脑应用技术,2001(51):1-4.
-
5冀铁铖.晶体管的几种组合形式及特点[J].电世界,1990,31(3):44-44.
-
6尉少卿.浅谈有源滤波器[J].山西大同大学学报（自然科学版）,1995,0(3):43-45.
-
7陈石龄,裘本初.nn^＋结构消除CMOS电路自锁效应的探讨[J].上海科技大学学报,1990,13(4):39-42.
-
8宁波材料所在新型双电层薄膜晶体管领域取得新进展[J].化工新型材料,2011,39(10):149-149.
-
9胡明成.万用表检测达林顿管的方法[J].家电检修技术,1995(3):3-4.
-
10宁波材料所在新型双电层薄膜晶体管领域取得新进展[J].功能材料信息,2011,8(4):58-59.
;
