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等离子体法制备碳化硅超细粉末研究 被引量:5

PREPARATION OF SiC ULTRAFINE POWDER BY PLASMA TECHNIQUE
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摘要 本文采用直流电弧等离子体法合成β-SiC超细粉末.产品纯度大于97%,平均粒径范围0.05~0.5μm,产率1km/h.此外,对其工业开发前景作了展望. This paper presents some advances in preparation of β-SiC ultrafine powder by DC arc plasma on the scale of 1 kg/h powder productivity. The product is characterized by the purity over 97% and the average particle size range of 0.05~0.5 μm. The feasibility of the process for industrialization is also briefly assessed. More efforts in the future should be put on further reduction of production cost, for the technological factors for such development seem to constitute only minor concerns.
出处 《化工冶金》 CSCD 北大核心 1996年第4期310-315,共6页
基金 国家863计划"八五"项目
关键词 等离子体 碳化硅 超细粉末 Plasma, Silicon carbide, Ultrafine powder
  • 相关文献

参考文献7

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二级参考文献5

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  • 4江东亮,无机材料学报,1980年,4卷,2期,97页
  • 5金宗哲,1993年

共引文献106

同被引文献83

引证文献5

二级引证文献27

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