摘要
ZnO是一种直接宽带隙半导体材料，带隙约为3．35eV。近几年来，纳米结构ZnO材料引起了人们的广泛兴趣。它作为发光材料、太阳能电池窗口材料，以及在其他电子器件领域有着广阔应用前景。本文简要综述了ZnO纳米材料的制备方法、结构特征、及应用前景.
Zinc Oxide is a wide direct - gap semiconductor. The direct band - gap is about 3. 35eV. In recent years, significant interest has imerged in nano - structured ZnO material, which could be used as luminescence material, solar cell window, and other electronics devices. It has broad prospect in application. In this paper we gave a brief review for preparation, structure analysis and application prospect of nano - structured ZnO material.
出处
《中国材料科技与设备》
2006年第4期1-4,共4页
Chinese Materials Science Technology & Equipment
基金
国家自然科学基金项目（60478022）
教育部科学技术重点项目（205091）
河南省自然科学基金项目（0411012000）
关键词
ZNO
纳米结构
纳米器件
荧光光谱
ZnO
Nano-structure
Nano device
Photoluminescence spectrum
