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GaN掺Cr材料的局域电子结构和磁性 被引量：1

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摘要 运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法．计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化,变化趋势和实验结果吻合．在包含两个Cr原子的体系中,Cr原子之间是铁磁性偶合,每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近．对于不同的掺杂浓度,Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合,Cr原子的3d电子与N原子的2p电子之间有很强的杂化,这与晶体的能带计算方法得到的结果一致．
作者 蔺何 段海明
机构地区 新疆大学物理系
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期903-907,共5页 Chinese Science Bulletin
基金 国家自然科学基金（批准号：10347010）资助.
关键词 稀磁半导体 密度泛函理论 原子团模型 第一性原理计算 电子结构
分类号 O471 [理学—半导体物理]
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共引文献13

同被引文献13

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引证文献1

二级引证文献2

科学通报
2006年 第8期

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