摘要
采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2。对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70%,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm。
A ZnSe single crystal with diameter of 25mm and length of 3mm was grown at a correct temperature and with 12. Its dislocation density is 4.4 × 10^4cm^-2. The optical property analysis shows that the ZnSe single crystal possesses transmittance above 70% and absorption coefficient 7.72 × 10^-4/cm at 10.61μm.
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期385-387,共3页
Journal of Synthetic Crystals
基金
国家863计划(No.2002AA325030)资助项目
关键词
ZnSe单晶
化学气相输运
位错密度
ZnSe single crystal
chemical, vapor transportation
dislocation density
