高跨导常断GaN MODFET

High Transconductance-Normally-off GaN MODFETs

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摘要成功地制作出了常断 GaN 基 MODFET(调制掺杂 FET)。该器件的栅长和沟道长度分别为3和5μm,其非本征跨导高达120mS/mm,在正栅偏压为3V时其电流为300mA/mm。该跨导值与先前报道的栅长分别为1和0.23μm、跨导分别为45和24mS/mm 的器件相比,是相当不错的。

作者 A.Qzgur 付士萍

出处《半导体情报》 1996年第5期44-45,共2页 Semiconductor Information

关键词氮化镓 MODFET 跨导常断

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半导体情报

1996年第5期

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