摘要
利用嵌入式密勒补偿技术,我们设计了一种应用于LDO的高性能放大器。在保证良好的相位裕度和稳定增益带宽的条件下,该放大器还具备高增益和较高的电源抑制比。结果表明:在3V工作电压下,其直流开环增益AV=87dB,增益带宽GB=12MHz,相位裕度=63°,电源抑制比PSRR=72.6dB。
A high performance CMOS two-stage operational amplifier with high open loop、high PSRR and nested Miller frequency compensation is presented on the basis of the analysis of traditional circuits. With the normal loads, an open-loop gain（AV）of 87dB,a unity gain bandwidth（GB）of 12MHz,a phase margin（ ）of 63°,and a power supply rejection ratio（PSRR）72.6dB have been achieved for a VDD of 3V.
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006年第3期198-200,共3页
Microelectronics & Computer
基金
国家自然科学基金项目(60371017)
四川省学术和技术带头人项目
