射频溅射制备m0—Ge／SiO2多层膜

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摘要射频溅射制备α－Ｇｅ／ＳｉＯ２多层膜崔敬忠彭军张兴旺陈光华张仿清（兰州大学物理系，兰州７３００００）由于在非晶太阳能电池和半导体器件方面的重要性，α－Ｇｅ和α－ＳｉＯ２得到了深入的研究［１，２］．近年来，用共溅射的方法制备的Ｇｅ／ＳｉＯ２纳米材料由...

作者崔敬忠彭军

机构地区兰州大学物理系

出处《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期145-146,共2页 Journal of Lanzhou University(Natural Sciences)

关键词射频溅射法二氧化硅锗薄膜

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兰州大学学报（自然科学版）

1996年第1期

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