真空蒸发沉积CuInSe2薄膜
-
1廖华,王东城.真空蒸发沉积CdS薄膜[J].云南师范大学学报(自然科学版),1991,11(1):37-42.
-
2汤会香,严密,张辉,张加友,孙云,薛玉明,杨德仁.磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化[J].Journal of Semiconductors,2004,25(6):741-744. 被引量:11
-
3许北雪,吴锦雷,刘惟敏,杨海,邵庆益,刘盛,薛增泉,吴全德.稀土对金属纳米粒子-介质复合薄膜(Ag-BaO)光电发射性能的增强[J].物理学报,2001,50(5):977-980. 被引量:6
-
4李建庄,夏冬林,赵修建.电沉积制备CIS薄膜太阳能电池材料[J].材料导报,2004,18(F04):227-229. 被引量:1
-
5张立功,具昌南,范翊,吕安德,元金山,马于光.8—羟基喹啉铝电致发光薄膜的电学特性[J].发光学报,1995,16(4):350-353. 被引量:4
-
6周昊,介万奇,查钢强,高俊宁.真空蒸发沉积CdZnTe纳米薄膜的结构与形貌[J].功能材料,2010,41(2):282-284. 被引量:1
-
7孙全,何焰兰,吕志辉,黄水花.真空沉积法制备InSb纳米颗粒[J].应用光学,2005,26(1):46-48. 被引量:1
-
8聂洪波,王延来,王义民,果世驹.粉末涂敷法制备CuInSe_2薄膜的硒化烧结过程研究[J].粉末冶金技术,2009,27(2):132-137. 被引量:3
-
9范平,郑壮豪,张东平,梁广兴,蔡兴民,汝丽丽,李红奕.离子束溅射制备CuInSe_2薄膜的研究[J].真空科学与技术学报,2009,29(6):659-663. 被引量:9
-
10Fangyang Liu Zhian Zhang Yanqing Lai Jie Li Yexiang Liu.Composition and Morphology of Electrodeposited CuInSe_2 Precursor Films[J].Journal of Materials Science & Technology,2009,25(2):242-246.
;