等离子淀积工艺对氮氧化硅混合膜组份的影响
被引量:1
同被引文献2
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1周海,吴大兴,杨川,高国庆.DC-PCVD法快速制备Si_3N_4薄膜[J].硅酸盐学报,1997,25(4):489-493. 被引量:5
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2余京松,钱晓倩,马青松,葛曼珍,孟祥森,杨辉.APCVD法SiH_4-NH_3-CO_2系统制备氧氮玻璃薄膜的研究[J].硅酸盐学报,1999,27(3):365-369. 被引量:5
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1罗海云.PECVD SiN及其在GaAs MESFET中的应用——第1部分:PECVD SiN的制备及其组分和键结构[J].半导体情报,1993,30(6):20-27. 被引量:1
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2钱龙生,缪同群,吴宝申,叶祥云,任兵,金天峰,朱秀芳,李秀玉,袁幼心.TiO_2和ZnS混合膜的结构和热光非线性性质(英文)[J].光学机械,1992(1):126-132.
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3李爱珍,沈兆友.等离子增强化学汽相淀积氮氢化硅混合膜及其组成[J].半导体杂志,1989,14(4):1-5. 被引量:2
-
4半导体材料[J].电子科技文摘,2001,0(8):4-5.
-
5杨集,冯士维,王承栋,张跃宗,李瑛,孙静莹.InP/InGaAs PIN红外探测器增透膜的研究[J].半导体技术,2006,31(8):594-597. 被引量:3
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6王柏青,张克云,包宗明,王焕杰,王季陶.PECVD制备新型介质薄膜碳氮化硅工艺性能研究[J].功能材料,1994,25(5):412-415.
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7蒋向东,张怀武,黄祥成.激光高反射膜的研究[J].应用光学,2003,24(1):25-27. 被引量:8
-
8张京俊,邓子龙,吕昭秀,李开国,李春山,戚春生,吕启钧.Si—Si_3N_4—SiO_2钝化工艺及其应用[J].电子工艺技术,1995,16(3):15-17.
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9肖胜安,季伟.Si_(1-x-y)Ge_xC_y的淀积工艺和材料特性[J].半导体技术,2012,37(7):517-521.
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10徐重阳,丁晖,邹雪城,张少强,冯汉华,戴永兵,袁奇燕,万新恒.基于神经网络BP算法PECVDSi_3N_4钝化工艺的模拟[J].半导体技术,1997,13(2):36-39. 被引量:1
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