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一种超高速低功耗分频器的研究

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摘要介绍了一种超高速低功耗分频器逻辑设计、电路设计、版图设计、工艺设计和工艺制作方法。采用３μｍ设计规则，用双埋层对通ｐｎ结隔离的ｎ层布线超高速ＥＣＬ工艺技术制造。最小发射极尺寸为３μｍ×１２μｍ，在－５５～１２５℃全温范围内，典型的功耗电流为２５ｍＡ，最高工作频率大于１５００ＭＨｚ，分频功能为÷２和÷１６。

作者万天才

机构地区电子工业部第

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期37-40,53,共5页 Semiconductor Technology

关键词 ECL电路分频器超高速电路低功耗集成电路

分类号 TN772 [电子电信—电路与系统]

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1万天才.全定制超高速数字集成电路的正向设计[J].微电子学,1992,22(2):18-22. 被引量：2

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1万天才.超高速移位寄存器单元结构设计方法[J]微电子学,1991(05).
2冯兆兰.适用于ASIC的高速低功耗逻辑单元[J].微电子学,1990,20(6):19-23. 被引量：1

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1万天才.超高速专用集成电路的优化和可靠性设计[J].微电子学,1997,27(3):210-214.

1夏冠群.砷化镓超高速电路概述[J].LSI制造与测试,1990,11(1):28-32.
2王丽英.微电子所研制成功8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片[J].今日电子,2012(6):29-29.
3殷登国.一种超高速ECL多模分频器[J].微电子学,1993,23(3):23-27.
4赵伟.超高速ECL工艺中铝和硅-铝的反应离子刻蚀[J].微电子学,1991,21(4):32-35.
5鄢俊明.砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅰ.砷化镓超高速电路发展概况;Ⅱ,砷化镓晶体管的基本特性[J].微电子学,1991,21(4):85-90.
6国外砷化镓超高速电路技术发展现状及展望[J].电子参考,1995(8):13-15.
7张建伟.双层布线工艺研究[J].电子,1991(1):13-19.
8谢明纲.LSI中的金属化工艺[J].半导体技术,1990,6(4):41-44.
9李英梦,唐璞山.VLSI中双层布线导孔数的优化算法[J].Journal of Semiconductors,1989,10(1):31-38.
10陈计学.1.5μm双层布线Ｎ阱CMOS工艺研究[J].集成电路通讯,2000(2):1-2.

半导体技术

1996年第3期

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