同被引文献4
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1殷海波,王晓亮,冉军学,胡国新,肖红领,王翠梅,杨翠柏,李晋闽,侯洵.MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化[J].半导体技术,2008,33(S1):123-126. 被引量：2
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2刘奕,陈海昕,符松.GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真[J].Journal of Semiconductors,2004,25(12):1639-1646. 被引量：13
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3杨云柯,高立华,陈海昕,符松.喷淋式GaN-MOCVD反应室的CFD数值仿真及优化[J].工程力学,2007,24(9):173-178. 被引量：11
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4邬祥生.有机金属化学气相沉积（MMOCVD）[J].上海半导体,1990(3):5-10. 被引量：1
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