高压大功率晶体管的耐压技术
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1易坤,张波,罗小蓉,李肇基.采用深阱结构的耐压技术[J].微电子学,2004,34(2):203-206. 被引量：2
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2徐光明,郭宇锋,花婷婷,徐跃,吉新春.SOI LDMOS器件纵向耐压技术的研究进展[J].功能材料与器件学报,2012,18(5):403-411. 被引量：1
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3郭宇锋,李曼,杨可萌,夏晓娟,吉新村,张长春.SOI横向功率器件横向耐压技术的研究进展[J].南京邮电大学学报（自然科学版）,2015,35(5):11-19.
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4张波,段宝兴,李肇基.具有n^+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析[J].Journal of Semiconductors,2006,27(4):730-734. 被引量：6
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5乔明,张波,李肇基,方健,周贤达.背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响[J].物理学报,2007,56(7):3990-3995. 被引量：7
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6薛龙来,郭宇锋,周井泉,孙玲.具有倾斜表面漂移区的SOI LDMOS的工艺设计[J].微电子学,2010,40(2):300-304. 被引量：3
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7郭宇锋,王志功,管邦虎.变漂移区厚度SOI横向高压器件的优化设计[J].固体电子学研究与进展,2010,30(1):42-46. 被引量：1
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