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硅表面溅射氮氧铝膜的实验研究

Experimental Study of Sputtered Aluminum Oxynitride Film on Si Surface
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摘要 本文报道在氮氧混合气体中用射频反应溅射法在硅表面成功淀积氮氧铝膜的实验研究结果。给出膜淀积工艺、膜的原子组元和浓度、含有不同氧原子浓度的膜的折射率和击穿电场强度以及膜的X-光衍射谱。 The experimental study of aluminum oxynitride film deposited on Silicon surface by radio frequency reactive sputtering method in a mixture of forming nitrogen anl oxygen gases is reported.The depositing Process, atomic Components and its concentrations, refractive index and breakdown electric field of the depositied films with different oxygen atomic concentrations have been determined. The X-ray d ffraction patters of the film are also given.
作者 王德煌 郭良
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第10期804-807,共4页 半导体学报(英文版)
关键词 硅表面 溅射 氮化铝膜 半导体 薄膜 Si surface Aluminum oxyn tride film
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