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GaAs/GaAlAs量子限制Stark效应及自电光双稳现象的实验研究 被引量:1

Experimental Investigation on GaAs/GaAlAs Quantum Confined Stark Effect and Self Electro-optic Bistabe Effect
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摘要 我们研制了GaAs/GaAlAs多量子阱pin结构的SEED器件。分析了器件的光电流光谱、光电流-电压特性。对于如何实现器件光学双稳态工作的有关问题进行了讨论。 A GaAs/GaAlAs Self Electro-optic Effect Device (SEED) with MQW pin structure has been fabricated. The measurement and analysis of the photocurrent spectrum, photocurrent-voltage Characteristics and photocurrent bistability are given. A discussion on the realization of its bistability is also concerned.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第9期659-663,共5页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金
关键词 自电光效应 多量子阱器件 光双稳 Optical Bistability MQW device Self Electro-optic Effect
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参考文献1

  • 1夏建白,物理学报,1988年,37卷,1页

引证文献1

二级引证文献2

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