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功率半导体器件芯片背面多层金属层技术被引量：4

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摘要本文阐述了功率半导体器件芯片背面需要多层金属层,才能满足芯片和底座间电学和散热的要求。讨论了多层金属层分布的选择原则和制备中的注意事项。表明该技术具有重大的经济效益。

作者贾松良

机构地区清华大学微电子学研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期26-30,共5页 Semiconductor Technology

关键词功率半导体器件芯片金属层技术

分类号 TN305.93 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1990年第4期

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