摘要
本文提出了一种低分压的湿-干氧氧化方法。利用该方法生长的薄氧化膜,具有比干氧氧化低的缺陷密度和优越的电击穿特性,而且固定电荷密度基本不变或稍有降低。实验结果表明,在一定的水温下,电击穿特性与湿氧分压和氧化温度有关。在较低的温度(850～950℃)下,随着湿氧分压的升高(从10^(-2)～5×10^(-1)atm),高场(≥8MV/cm)击穿的比率增大,而低场(≤4MV/cm)击穿的比率减小,而且,击穿比率的变化最后趋于炮和。在较高的温度(1000～1100℃)下,高场击穿比率的变化有一个峰值。在峰值以后,高场击穿的比率随湿氧分压的升高而减小,而且,峰值对应的阈值湿氧分压有随氧化温度的升高而降低的趋势。
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第3期16-18,37,共4页
Semiconductor Technology
