摘要
报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.
The electron emission induced by highly charged ions ^207 Pb^q ＋ （24 ≤ q ≤ 36） interacting with Si（110） surface is reported. The result shows that the electron emission yield Y has a strong dependence on the projectile charge state q, incidence angle and ψ impact energy E. In fitting the experimental data we found a nearly 1/tanψ dependence of Y. Theoretical analysis shows that these processes are closely related to the process of potential electron emission based on the classical over-the-barrier model.
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期673-676,共4页
Acta Physica Sinica
基金
国家自然科学基金(批准号:10405025
10475035)资助的课题.~~
关键词
高电荷态离子
经典过垒模型
电子发射产额
highly charged ion （HCI）, classical over barrier model（COBM）, electron emission yield
