摘要
本文通过实验和分析表明,Fe—Si单晶中稳定的解理裂纹核,由n个[001]型Cottrell位错构成,n随局部应力σ升高而下降。滑移面上塞积位错数m=10.7×(n-1/4)。如果不含氢,室温时n_0和m_0。很大,塞积应力m_0τ_0足可使其它滑移系开动,故不会形成稳定的解理裂纹核,试样韧断。如有氢,它一方面能促进位错的增殖和反应;另一方面,带氢位错反应生成[001]位错时,氢复合成H_2,它产生的内压p和σ叠加,从而使n~*<n_0,m~*<m_0。这时,塞积应力m~*τ_0较小,故容易生成稳定的解理裂纹核,即氢促进了解理断裂。这已为实验所证实。
出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
1989年第10期1065-1073,共9页
Science in China(Series A)
