GaAs单片集成C波段低噪声FET放大器

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摘要南京电子器件研究所于1988年研制成功砷化镓单片集成C波段单级低噪声FET放大器。采用全集总电路结构,包含全部匹配电路,芯片尺寸0.63×0.84×0.2mm。在3.7～4.2GHz频率下测试,带内增益大于10dB,噪声系数小于2.5dB。

作者陈克金

机构地区南京电子器件研究所

出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期107-107,共1页 Research & Progress of SSE

关键词 GAAS C波段单片集成 DFET放大器

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固体电子学研究与进展

1989年第1期

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