摘要
本文分析了目前器件参数优化所存在的问题。提出了采用填充函数方法实现对器件参数的全空间(全域)优化提取。该法能较好地满足不同非线性规划算法对初值的要求,并保证了目标函数的全域最优。本文还分析了影响参数优化唯一解的灵敏度因素,提出了对MOSFET器件参数优化的一些改进方法。
The existing problems of optimal parameter extraction are discussed for device model in this paper. A filled function method for global space optimization extraction is suggested. It can better satisfy the demands of initial values of various nonliear programing algorithms, and guarantee the global minimization of objective function. Moreover, a factor of sensitivity affecting the unique solution of optimal parameters is analysed and some modified methods are provided for MOSFET parameter optimization.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第1期12-18,共7页
Research & Progress of SSE
基金
国家自然科学基金资助项目
