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AlGaAs/GaAsHBT的设计与研制

Design and Manufacture of AlGaAs/GaAs HBT
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摘要 分析了AlGaAs/GaAsHBT的原理和材料结构,详细介绍了AlGaAs/GaAsHBT的器件结构及工艺流程,并对两方面进行了优化,研制出了特性较好的AlGaAs/GaAsHBT,其电流放大系数达到180,是目前国内报道的最高水平;开启电压小于0.3V. The theory and material structure of AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor （HBT） are analyzed. The device structure and the pivotal process of it are introduced in detail. An optimized AlGaAs/GaAs HBT was made, which had good characteristics, high current gain （β） of 180 and low turn-on voltage of less than 0.3 V. It was the best result of current gain reported before in China.
作者 胡海蓉 牛萍娟 胡海洋 郭维廉
机构地区 天津工业大学信息与通信工程学院 中国科学院半导体研究所
出处 《河北工业大学学报》 CAS 2005年第6期87-90,共4页 Journal of Hebei University of Technology
基金 天津市高等学校科技发展基金资助(20020711) 天津市应用基础研究重点项目资助(043800811)
关键词 ALGAAS/GAAS 异质结双极晶体管 工艺 AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor （HBT） process
分类号 TN313 [电子电信—物理电子学]
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共引文献4

河北工业大学学报
2005年 第6期

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