摘要
使用气流磨粉碎的硅粉（Ｓｉ）（Ｓｉ９９．３％，Ｓｇ＝３．２ｍ２／ｓ）和氮气（Ｎ２）（纯度９９．９９９８％）为反应物，在１３００～１３６７℃下反应形成β－Ｓｉ３Ｎ４，其反应机理与动力学参数被研究。反应产物由ＸＲＤ进行定量分析，相形成的机理和它们的形态用扫描电镜（ＳＥＭ）确定。我们发现α相和β相的形成机理不同。β－Ｓｉ３Ｎ４在１３００℃的实验数据适合于界面化学反应控制的动力学模型．在１３３０～１３６７℃扩散控制通过产物层．扩散过程的活化能测得为６７０ＫＪ／ｍｏｌ。β－Ｓｉ３Ｎ４在整个温度范围（１３００～１３６７℃）内的形成可分为两个阶段．在反应开始到６０ｍｉｎ氮化，α－Ｓｉ３Ｎ４形成较迅速，这是第一阶段．这一阶段与Ｓｉ粉末表面的氧成分有关；第二阶段α－Ｓｉ３Ｎ４形成稍缓慢。在１３００℃和１３３０℃下α－Ｓｉ３Ｎ４的形成速度由Ｓｉ的蒸气压控制，而在１３６７℃则扩散通过产物层。
出处
《陶瓷研究》
1996年第1期16-23,共8页
Ceramic Studies
