同被引文献4
-
1冯文修.求解p型半导体堆尔系数极值的新方法[J].华南工学院学报,1987,15(2):85-93.
-
2冯文修,华南工学院学报,1987年,15卷,2期,85页
-
3刘恩科,半导体物理学,1984年,287页
-
4郑厚植.整数、分数量子霍耳效应简介[J].Journal of Semiconductors,1999,20(1):1-10. 被引量:4
-
1Kang-Kang Hu,Bo Gao,Qiu-Cheng Ji,Yong-Hui Ma,Hui Zhang,Gang Mu,Fu-Qiang Huang,Chuan-Bing Cai,Xiao-Ming Xie.Impurity scattering effect in Pd-doped superconductor SrPt3P[J].Frontiers of physics,2016,11(4):127-131.
-
2冯文修,赵寿南.N型硅单晶霍尔系数与应力关系的研究[J].华南理工大学学报(自然科学版),1990,18(4):82-88.
-
3杨柏樑,张传平,温庆祥,黄锡珉.CdTe∶Al的电学特性[J].人工晶体学报,1992,21(2):151-155.
-
4文尚胜,文尚胜,范广涵.小型烧结炉装置的设计与制作[J].物理实验,2000,20(9):40-40. 被引量:1
-
5彭曼泽,李东升,李秋妍,田立萍,吴刚.基于二种载流子体系的HgCdTe材料的霍尔电压与载流子浓度关系[J].红外技术,2013,35(6):364-367. 被引量:1
-
6王泽温,介万奇,李宇杰,谷智.Hg_(1-x)Mn_xTe晶片电学参数的测量及分析[J].功能材料,2006,37(8):1232-1234.
-
7低温霍尔效应自动测试装置通过鉴定[J].低温与特气,1984,2(4):74-75.
-
8万雄,何兴道.一种材料霍尔系数测试系统的设计[J].江西科学,2000,18(4):238-240.
-
9吴少兵,陈实,杨晓非,朱涛.CoFeB/Pt反常霍尔效应标度关系的研究[J].中国科学:物理学、力学、天文学,2012,42(7):705-710. 被引量:1
-
10陶小平,孙腊珍.Hg_(1-x)Cd_xTe材料变温特性的实验研究[J].物理实验,2010,30(9):28-30. 被引量:2
;