双极VLSI工艺进展
-
1齐立礼,汪志方.美,日电子材料及工艺进展（七）[J].科技情报（长沙）,1989(2):6-7.
-
2本刊通讯员.得可太阳能即将亮相Semicon West 2010展[J].电子与封装,2010,10(7):47-47.
-
3吴登峰,邬玉亭,褚家如.阳极键合工艺进展及其在微传感器中的应用[J].传感器技术,2002,21(11):4-7. 被引量：6
-
4马香柏,郝跃,张进城.微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展[J].电子科技,2006,19(10):1-4.
-
5王家楫.BiCMOS VLSI工艺进展[J].半导体杂志,1991,16(3):10-15.
-
6赵明璐,王定理,马卫东.铌酸锂光波导制作工艺进展[J].光通信研究,2012(2):35-38. 被引量：3
-
7关铁樑.光纤偏振器性能及工艺进展[J].光通信技术,1993,17(6):331-338. 被引量：4
-
8邓志杰.SiC半导体电子学工艺进展[J].有色与稀有金属国外动态,1995(9):1-2.
-
9邓小军,曹正州.应用于三维封装中的硅通孔技术[J].电子与封装,2012,12(9):18-23. 被引量：5
-
10Tao Zhong,Ying Huang,Chih-Hsun Hsu,Scott Williams,Benjamin Schwarz.新颖CMOS图像传感器刻蚀工艺进展[J].功能材料与器件学报,2013,19(6):312-313.
;
