宇航器件中的单粒子效应及其加速器地面模拟被引量：4

Heavy Ion Induced Single Event Upset and Its Accelerator Simulation Investigation

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摘要描述了宇航半导体器件的单粒子效应的危害和研究方法，并介绍了用重离于加速器进行地面模拟研究的概况． The harm and investigation means of single event upset in spacecraft electronics are described and a survey of simulation test by using heavy ion accelerator is also given in this paper.

作者侯明东马峰刘杰

机构地区中国科学院近代物理研究所

出处《核物理动态》 CSCD 1996年第1期32-35,共4页

关键词单粒子效应加速器航天电子器件地面模拟 single event upset semiconductor device heavy ion application

分类号 V443 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]

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