长波HgCdTe光电二极管:n^+在p上面的结构与p在n上面的结构的比较(下)

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摘要 3.n+在p上和p在n上的光电二极管结构的比较让我们设想一种典型的高质量n+在p上（或p在n上）的HgCdTe光电二极管结构（见图1）,这种光电二极管结构可以用现代的外延生长技术（液相外延、分子束外延或者金属有机化学汽相淀积）制备。在这种光电二极管中,p（n）型基层的合成载流子浓度约为5×1015{(5×1014)}cm-3,厚度约为10μm,它被夹在一层高度掺杂的n+型（p+

作者 A.Rogalski 高国龙

机构地区波兰华沙军事理工大学技术物理学院

出处《红外》 CAS 1996年第6期22-28,共7页 Infrared

关键词 HGCDTE 光电二极管 PN结

分类号 TN364.2 [电子电信—物理电子学]

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