高能粒子辐照在半导体器件中的应用
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1汪波,文林,李豫东,郭旗,汪朝敏,王帆,任迪远,曾骏哲,武大猷.质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响[J].红外与激光工程,2015,43(B12):35-40. 被引量：5
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2董少光.高能粒子辐照对InGaN材料电子浓度和光致发光的影响[J].材料导报（纳米与新材料专辑）,2010,24(2):376-380.
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3高建宁,陈芳林,张明,郭润庆.IGCT配套FRD器件的性能优化[J].大功率变流技术,2015(5):29-33.
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4侯睿,赵尚弘,幺周石,胥杰,吴继礼.空间辐射对CCD器件电荷转移效率的影响分析[J].半导体光电,2012,33(1):12-17. 被引量：3
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5王祖军,刘以农,陈伟,唐本奇,肖志刚,黄绍艳,刘敏波,张勇.辐射损伤诱发CCD敏感参数退化分析[J].核电子学与探测技术,2010,30(2):151-156. 被引量：5
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6王祖军,唐本奇,肖志刚,黄绍艳,张勇,刘敏波,陈伟,刘以农.CCD辐射损伤效应及加固技术研究进展[J].半导体光电,2009,30(6):797-802. 被引量：16
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7邵传芬,朱美华,史常忻.GaAs微条粒子探测器的辐照特性[J].Journal of Semiconductors,2003,24(2):221-224. 被引量：1
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8张宗波,郎冠卿,姜海富,罗永明,徐彩虹.低地球轨道航天器涂层防护技术研究进展[J].航天器环境工程,2016,33(1):109-114. 被引量：10
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9董少光.高能粒子辐照对太阳能电池材料InGaN合金生长的影响[J].材料导报（纳米与新材料专辑）,2010,24(1):259-262.
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10李泽宏,李肇基,杨舰.横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应[J].电子科技大学学报,2004,33(2):149-153. 被引量：1
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