在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe 被引量：2

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摘要在当前大规模红外焦平面器件的研制中,高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料。衬底和外延材料的晶格失配导致了大量的位错增殖,严重影响红外焦平面器件的工作性能。本文对各种衬底进行了比较,并对Si基和Ge基上的外延碲镉汞材料的生长工艺及性能进行了调研和评价。

作者傅祥良

机构地区中国科学院上海技术物理研究所

出处《红外》 CAS 2005年第9期19-24,48,共7页 Infrared

关键词分子束外延 SI衬底 Ge衬底 CdTe HGCDTE 晶向晶格失配分子束外延生长 SI基衬底

参考文献13

1X. Shi, S. Rujirawat, R. Ashokan, et al. Appl. Phys.Lett. 73 (1998) 638.
2T. J. de Lyon, D. Rajaval, S. M. Johnson, et al. Appl.Phys. Lett. 66 (1995) 2119.
3A. Million, N. K. Dhar, J. H. Diaaa, et al. Growth 159 (1996) 76.
4S. Rujirawat, L. A. Almeida, Y. P. Chem et al. Appl.Phys. Lett. 71 (1997) 1810.
5S. H. Shin, J. M. Arias, M. Zandian, et al. 22 (1993) 1039.
6O. K. Wu, D. N. Jamba, G.S. Kamath, et al. Growth 127 (1993) 365.
7P. S. Wijewarnasuriya, S. Sivananthan, Appl. Phys.Lett. 72 (1998) 1694.
8R. Ashokan, S. Si6ananthan: Materials Science and Engineering B 67 (1999) 88- 94.
9S. Rujirawat, R. Ashokan, B. Yang, et al. 10th Int.Conf. on MBE, Cannes, France, 1998.
10J. P. Zanatta*, P. Ferret, P. Duvaut, et al. A. Million Journal of Crystal Growth 184/185 (1998) 1297-1301.

1周立庆.碲镉汞外延用衬底材料的现状和发展[J].激光与红外,2005,35(11):808-811. 被引量：12
2傅祥良,王伟强,于梅芳,乔怡敏,魏青竹,吴俊,陈路,巫艳,何力.束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷[J].激光与红外,2007,37(B09):915-918. 被引量：4
3G Brill,S Velicu,et al. MBE growth and device processing of MWIR HgCdTe on large area Si substrates [ J ]. J. Elec- tron. Mater,2001,30:717 - 722.
4S Farrell, G Brill, et al. Ex situ cycle annealing of molecu- lar beam epitaxy grown HgCdTe/Si layers [ J ]. J. Elec- tron. Mater,2010,39,43 - 48.
5P S Wijewarnasuriiya, G Brill, LWIR MBE HgCdTe pho- tovoltaic detectors grown on Si composite substrates [ J ]. SPIE ,2004,5046:323 - 331.
6B Yang, Y Xin. Molecular beam epitaxial growth and struc-tural properties of HgCdTe layers on CdTe ( 211 ) B/Si (211 ) substrates [ J ]. J. Appl. Phys,2000,88 : 115 - 119.
7周立庆,刘铭,巩锋,董瑞清,折伟林,常米.3英寸CdTe/Si复合衬底外延技术研究[J].激光与红外,2011,41(5):537-541. 被引量：20

1王晨,廖运发,余斌.平面波导(PLC)光分路器的工艺及性能影响因素分析[J].现代传输,2011(4):48-52.
2金智,杨树人,安海岩,刘式墉.应变多量子阱激光器的结构稳定性[J].半导体光电,1999,20(6):393-396.
3高祥萍,于晶,杨德水,胡忠辉.ADSS光缆若干问题探讨[J].光纤与电缆及其应用技术,1999(5):29-34. 被引量：9
4韩振雷.CCD和CMOS图像传感器的异同剖析[J].影像技术,2009,21(4):39-42. 被引量：13
5段春名.MQLQ-11型气敏元件的研制[J].传感器世界,1999,5(5):18-20. 被引量：1
6胡先志,姚水明,魏忠诚,钱峰.无卤阻燃光缆的研制[J].光纤与电缆及其应用技术,1996(5):27-28. 被引量：1
7胡先志,魏忠诚,钱峰,胡战洪,姚水明,秦寿松,耿浩,李宏强.无卤阻燃光缆及其性能研究[J].电线电缆,1998(2):10-12. 被引量：1
8王巍,冯其,武逶,谢玉亭,王振,冯世娟.硅基APD器件的工艺及性能仿真分析[J].红外与激光工程,2014,43(1):140-144. 被引量：8
9沈祥伟,刘正堂,卢红成,李阳平,闫峰.锗衬底上反应离子刻蚀制备宽波段红外增透结构的工艺及性能研究[J].机械科学与技术,2009,28(10):1375-1378. 被引量：2
10张春玲,赵凤瑷,徐波,金鹏,王占国.利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点[J].Journal of Semiconductors,2004,25(12):1647-1651. 被引量：1

红外

2005年第9期

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