摘要
本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用。β-Ga2O3单晶体的优异性质使其可以成为新一代的透明导电材料。
This paper summarizes the research progress in β-Ga2O3 single crystal and introduces the growth techniques of β-Ga2O3 single crystals by Verneuil, Czocralski and floating zone methods. The optical properties, electrical properties and the application on GaN substrate are also introduced in this paper. The special properties enable β-Ga2O3 single crystal to be new transparent conducting oxides materials of the next generation.
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期676-681,共6页
Journal of Synthetic Crystals
基金
中国科学院"百人计划"资助项目
国家教育部留学回国人员启动资金基金资助项目
关键词
透明导电材料
β-Ga2O3
单晶体
浮区法
衬底
transparent conducting material
β-Ga2O3 single crystals
floating zone method
substrate
