半绝缘GaAs单晶补偿度分布研究
-
1孙毅之,徐维明.P—si补偿度的迁移率分析法[J].半导体杂志,1991,16(2):83-88.
-
2光电、光敏与发光材料[J].电子科技文摘,2000(6):8-8.
-
3莫培根,范向群,周炎德,吴巨.改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶[J].固体电子学研究与进展,1990,10(1):94-100.
-
4汪鼎国.低位错InAs单晶的研制[J].四川有色金属,1993(2):39-41. 被引量:2
-
5辛勇,熊传兵,彭学新,王立,姚冬敏,李述体,江风益.MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究[J].发光学报,2000,21(1):33-37. 被引量:1
-
6邓志杰.GaAs单晶生长综述[J].现代材料动态,2000(2):1-2. 被引量:1
-
7杨瑞霞.未掺杂LECGaAs的补偿机理及相关缺陷[J].电子与自动化仪表信息,1991(5):20-24.
-
8何菊生,张萌,许彪,唐建成.纤锌矿n-GaN室温补偿度解析模型[J].Journal of Semiconductors,2007,28(7):1041-1047.
-
9姚冬敏,王立,熊传兵,彭学新,江风益.GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究[J].发光学报,2000,21(2):109-114. 被引量:4
-
10谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明.轻掺铬SI-GaAs单晶的研制[J].固体电子学研究与进展,1993,13(2):161-164.
;