摘要
介绍强磁场增强反应离子腐蚀实验的研究结果，其中包括不同材料的腐蚀速度与磁场的关系以及负载效应等。
The experimental results of higher magnetically enhanced reactive ion etching,including load effects and dependence of etch rate on magnetical hield for various materials are described.
出处
《半导体情报》
1996年第1期25-27,共3页
Semiconductor Information
