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半导体激光器阈值行为的研究 被引量:3

Studies on Semiconductor Lasers Threshold Features
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摘要 采用平均场近似,用洛仑兹函数来描述增益曲线和自发辐射,得到了多模速率方程组的隐式解析解。在此基础上,着重对阈值附近半导体激光器的载流子密度、输出功率以及阈值电流等重要特性进行了研究。理论和实验结果吻合得很好。 Within the frame of the mean field,using Lorentzian functions to model the gain and spontaneous emission,implicit analytical solutions to the mutli-mode rate equations, including the contributions of spontaneous emission to various diode modes, have been obtained. As a result,with the emphasis on the threshold region,several laser characteristics of importance,such as the carrier density, photon density,etc.have been investigated theoretically and experimentally.
机构地区 四川大学光电系
出处 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期91-94,共4页 Chinese Journal of Lasers
基金 国家教委留学回国人员博士点基金 四川省科委资助
关键词 半导体激光器 阈值 洛仑兹函数 semiconductor laser,threshold, Lorentzian function
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Luo B,IEEE Photon Technol Lett,1993年,5卷,11期,1279页
  • 2陈建国,Appl Opt,1991年,30卷,31期,4554页
  • 3Lee T,IEEE J Quantum Electron,1982年,18卷,7期,1101页

同被引文献4

引证文献3

二级引证文献2

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