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扫描隧道显微镜研究GaAs(100)表面微缺陷 被引量:1

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摘要 扫描隧道显微镜研究GaAs(100)表面微缺陷陈坚邦,刘鸿飞(北京有色金属研究总院100088)关键词:扫描隧道显微镜,微缺陷,抛光工艺(一)引言随着半导体器件向高速度、高集成度方向迅速发展,微电子技术从微米技术进入到纳米技术,从而对作为衬底的半导体...
出处 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期224-227,共4页 Chinese Journal of Rare Metals
基金 国家自然科学基金
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