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扫描隧道显微镜研究GaAs(100)表面微缺陷
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摘要
扫描隧道显微镜研究GaAs(100)表面微缺陷陈坚邦,刘鸿飞(北京有色金属研究总院100088)关键词:扫描隧道显微镜,微缺陷,抛光工艺(一)引言随着半导体器件向高速度、高集成度方向迅速发展,微电子技术从微米技术进入到纳米技术,从而对作为衬底的半导体...
作者
陈坚邦
刘鸿飞
机构地区
北京有色金属研究总院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期224-227,共4页
Chinese Journal of Rare Metals
基金
国家自然科学基金
关键词
STM
微缺陷
半导体
砷化镓
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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稀有金属
1995年 第3期
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