MOCVD GaAs/Si外延层中层错的TEM研究

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摘要应用透射式电子显微镜观测了MOCVD GaAs/Si外延层中的层错。在双束动力学条件下用三种方法确定外延层中层错类型为本征型,其滑移矢量为R=1/6[211],并讨论了引起滑移的三种应力来源。

作者黄胜范荣团

机构地区中国科学院电子学研究所

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期50-54,共5页 Chinese Journal of Rare Metals

基金国家自然科学基金

关键词砷化镓硅衬底外延层层错 TEM 半

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稀有金属

1995年第1期

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