摘要
在RTP半导体器件制造设备中；为控制硅片温度的均匀性和重复性，采用了一种实时多变的策略。它基于工艺的物理模型，采用实验设计程序来估算模型参数。轴心对称加热区域中多区阵列灯的功率采用内部模型控制法则（IMC）的设计方法来进行自动计算以获得硅片的温度均久性。通过硅片上多点的高温测定法进行温度探测提供实时反馈信息，从而进行控制。为获得温度控制的技术要求，除了IMC外还使用了好几种模块，包括模型规划及防过冲等。该控制策略最早是由斯坦福大学为样机设备而研制的，后来TI公司将其使用在MMST工程中，在八台RTP反应器中处理2种亚微米CMOS工艺的十三种不同的热处理，从而根据定制化，集成化及性能来分析整个控制策略。
出处
《微电子技术》
1995年第3期53-72,共20页
Microelectronic Technology
